La carrera global hacia la memoria de alta capacidad de próxima generación se intensifica mientras SK hynix expande tanto la fabricación como la capacidad de empaquetado avanzado para apoyar HBM4

La rápida expansión de la infraestructura de IA está ajustando la oferta en el mercado más amplio de memoria, elevando los precios de productos DRAM convencionales como DDR5 y obligando a los OEM a reevaluar los planes de construcción de sistemas para 2026 y 2027.

La presión en la industria ya no se limita solo a la producción de obleas. El rendimiento en empaquetado y pruebas se ha convertido en un cuello de botella crítico, especialmente para productos HBM donde múltiples capas de DRAM se apilan en un solo paquete de alto valor. Según informes de la industria, los fabricantes de memoria están luchando por aumentar la producción lo suficientemente rápido para satisfacer la demanda de GPUs de centros de datos y aceleradores de IA.

En este contexto, SK hynix ha anunciado planes para invertir aproximadamente 19 billones de wones en una nueva instalación avanzada de empaquetado y pruebas, conocida como P&T7, en Cheongju Technopolis en Corea del Sur. Se espera que la construcción comience en abril, con finalización prevista para finales de 2027. La instalación está diseñada para apoyar la producción en volumen de módulos HBM, donde las pérdidas por rendimiento pueden ser particularmente costosas debido a la complejidad y valor de los ensamblajes apilados.

A nivel de hoja de ruta, la industria de la memoria está en transición de HBM3E a HBM4. En una actualización de enero, TrendForce indicó que SK hynix espera que HBM3E siga siendo el producto dominante durante todo 2026, representando potencialmente alrededor de dos tercios del total de envíos de HBM, mientras HBM4 se incrementa. El mismo análisis destaca la asociación de empaquetado avanzado de SK hynix con TSMC y el papel de la fábrica M15X en Cheongju para apoyar tanto la producción de HBM3E como de HBM4.

El momento de la capacidad se ha vuelto central para la planificación de adquisiciones en toda la cadena de suministro electrónica. Informes desde Corea del Sur indican que SK hynix espera completar la primera sala limpia en su fábrica M15X en mayo del próximo año y comenzar operaciones piloto poco después. Si los cronogramas se mantienen, la producción en volumen de la primera sala limpia podría comenzar alrededor de noviembre. La compañía también planea introducir líneas DRAM de clase 10nm “1c” para apoyar futuras generaciones de HBM, señalando un aumento de capacidad que se extiende más allá de 2027.

En CES 2026, el mensaje de los proveedores sobre HBM4 se centró en la preparación para aceleradores de IA de próxima generación. HBM4 ha sido descrito como la revisión arquitectónica más significativa de la tecnología hasta la fecha. SK hynix presentó un dispositivo HBM4 de 16 capas con una capacidad de 48GB y un ancho de banda que supera los 2TB/s, con producción en masa prevista para el tercer trimestre de 2026. Informes de la industria indican que ya se están entregando muestras a clientes como Nvidia para plataformas de IA próximas.

Esta priorización agresiva de HBM ya es visible en los precios al por menor. Los kits de memoria DDR5 que se vendían por menos de 100 USD hace un año ahora tienen precios muy superiores a 300 USD, reflejando la escasez de DRAM y NAND. A medida que los proveedores continúan priorizando la producción de HBM y la capacidad de empaquetado avanzado, se espera que la disponibilidad de DRAM convencional siga siendo irregular.

De cara al futuro, los hitos clave a observar incluyen el progreso en la construcción de la sala limpia M15X, los primeros resultados de rendimiento y calificación de HBM4, y la rapidez con que la nueva capacidad de empaquetado como P&T7 puede traducirse en módulos HBM comercializables. En conjunto, estos desarrollos destacan cómo el empaquetado avanzado se ha convertido en una frontera decisiva de innovación en la industria global de memoria.